-
3012 руб.
плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 8000/3800 MBps, случайный доступ: 1500000/250000 IOps
- Есть в наличии Добавить в сравнение
- Лицензионный товар Samsung
Общая информация | |
Дата выхода на рынок | 2019 г. |
Комплектация | |
Комплект поставки | Низкопрофильный кронштейн, кронштейн полной длинны |
Основные | |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2) |
Объём | 3.2 ТБ |
Ресурс записи | 17520 TBW |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | плата расширения |
Технические характеристики | |
Аппаратное шифрование | нет |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
Охлаждение | да |
Подсветка | нет |
Скорость последовательного чтения | 8 000 МБ/с |
Скорость последовательной записи | 3 800 МБ/с |
Средняя скорость случайного чтения | 1 500 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 250 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 19 Вт |
Характеристики